process
Fast deposition speed
Cheap process device
1. Partially different thickness
2. Difficult to control the element ratio
3. Hard to deposition the complex material layer
4. Low film quality
3.Material to be evaporated by e-beam
- E-beam dashes against
material
- E-beam transport energy
to the material
- Then evaporation process
is start
2. Experimental
2.1. Film preparation
Pure ZnO thinfilms were prepared on the glass substrate using RF magnetron sputtering system. And Mg, Ga doped (3 wt%) ZnO thinfilms were prepared on the ZnO pre-sputtered glass substrate using RF magnetron sputtering system. The PureZnO target was made from high purity ZnO powder (99.99 %) . The MZO/GZO targets were made from high purity ZnO powder (
① 컨트롤러
여기서 의미하는 컨트롤러는 하드디스크에 있는 것으로,메인보드의 IDE컨트롤러와는 다른 것이다. 컨트롤러에 의해 스테핑 모터와 헤드를 제어하고, IDE와 통신한다. 컨트롤러는 일반적으로 하드디스크의 뒷면에 붙어 있음. 컨트롤러에는 하드디스크를 마스터로 사용할 것인지 슬레이브
WHAT IS THINFILM?
KIST Definition (1991)
- ThinFilm : 기판층(substrate layer)에 형성된 수 m 이하의 두께를
갖는 것으로 독립적인 기능을 보유한 막.
ADVANTAGES OF THINFILM
Complexibility and Accumulations
Easy processing
lm)
Easy Control of Thermal, Mechanical and Chemical Properties
Down the Cost of Production
High-Reliance
WHAT IS cvd?
Principle of cvd
The GZO, MZO thinfilms were prepared on ZnO pre-sputtered glass substrate using RF Sputtering Technique. Morphological, Structural and Electrical properties of deposited films were investigated in comparison with pure ZnO Thinfilm by scanning electronic microscopy (SEM), Atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), PL spectra and other electrical analytic method. SEM images showed al
[3] ThinFilm Deposition
초집적 반도체를 구성하는 소자들은 그 특성상 그 크기가 매우 얇아(작고) 미세한 조직을 가진다. 그리고 이것은 박막 증착(TFD = ThinFilm Deposition) 공정을 통해 제작된다. 박막 증착이란 이름 그대로 표면에 얇은 막을 씌우는 기술을 뜻하는데 이 공정을 통해 기판(substrate)이나 이전에
thin specimens, such as carbon extraction replicas, due to the small interaction volume.
3. Growth of single crystal bulk
3.1 Design
Molecular formula
CuSO₄5H₂O
Melting point
16136℃
Specific gravity
2.284g/ml
Solubility
52g/100gH₂O (25℃)
Molecular weight
249.69
PH
2.480 (25℃)
system of crystallization
orthorhombic system
Table. 2. C
BulkGibbs free energy of formation of the amorphous oxide islarger than that of the corresponding crystalline oxide.
ThinfilmThe thin amorphous metal-oxide film on its metal substrate can be stable modification with respect to the corresponding crystalline metal-oxide film the same substrate.
1. Interaction contribution to the - interfacial energy
Following the treat
TFT-LCD
구성
TFT가 형성되어 있는 아래 유리기판
Color Filter가 형성되어 있는 윗 유리기판
TFT 와 Color Filter 사이에 주입된 액정(LC)으로 구성
원리
TFT는 전기적 신호를 전달, 제어
액정은 전압에 따라 분자구조를 달리하여 빛의 투과를 제어
제어된 빛은 Color Filter를 통과하면서 원하는 색과 영상으로